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DS1230YP-100
規(guī)格信息：

存儲器類型：非易失

存儲器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量：256Kb （32K x 8）

寫周期時(shí)間 - 字，頁：100ns

訪問時(shí)間：100ns

存儲器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.5 V ~ 5.5 V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：34-PowerCap? 模塊

供應(yīng)商器件封裝：34-PowerCap 模塊

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖DS1230YP-100
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
DS1230YP-100256k Nonvolatile SRAM DALLAS[Dallas Semiconductor]DALLAS[Dallas Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)213.86 Kbytes共12頁DS1230YP-100的PDF文件地址DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018 DS1230YP-100的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DS1230YP-100+NVRAM 256k Nonvolatile SRAMMaxim IntegratedMaxim Integrated的LOGO-天天IC網(wǎng)205.68 Kbytes共10頁DS1230YP-100+的PDF文件地址 DS1230YP-100+的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DS1230YP-100+IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAPMaxim IntegratedMaxim Integrated的LOGO-天天IC網(wǎng)216.56 Kbytes共10頁DS1230YP-100+的PDF文件地址 DS1230YP-100+的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DS1230YP-100-IND256k Nonvolatile SRAM DALLAS[Dallas Semiconductor]DALLAS[Dallas Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)213.86 Kbytes共12頁DS1230YP-100-IND的PDF文件地址DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018 DS1230YP-100-IND的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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