制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:13 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:56.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.5 mm
長度:5.3 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMP2022
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:4.1 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:28 S
下降時(shí)間:76.5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:9.9 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:108 ns
典型接通延遲時(shí)間:7.5 ns
單位重量:851 mg