系列：DMN
單位重量：158 mg
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 55 C
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
下降時間：6.1 ns, 6.1 ns
典型接通延遲時間：5.2 ns, 5.2 ns
上升時間：13.5 ns, 13.5 ns
Vgs-柵極-源極電壓：12 V, 12 V
Pd-功率耗散：890 mW
通道數(shù)量：2 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：6.7 A, 6.7 A
Vds-漏源極擊穿電壓：20 V, 20 V
晶體管類型：2 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：19 mOhms, 19 mOhms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
Qg-柵極電荷：5.2 nC, 5.2 nC
Vgsth-柵源極閾值電壓：500 mV, 500 mV
典型關(guān)閉延遲時間：19.8 ns, 19.8 ns
正向跨導(dǎo)-最小值：8 S
FET類型：2 N 溝道（雙）共漏
FET功能：邏輯電平門
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：26 毫歐 @ 6A，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：5.2nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：570pF @ 10V
功率-最大值：890mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP
封裝形式Package：TSSOP
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：6.7A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs