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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:194 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.2 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:64 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

系列:CSD18511KTT

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:249 S

下降時間:3 ns

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:6 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:17 ns

典型接通延遲時間:8 ns