PCN Obsolescence:Multiple Devices 30/Dec/2003
標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
類(lèi)別:集成電路 (IC)
家庭:PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
配置:低端
輸入類(lèi)型:非反相
延遲時(shí)間:30μs
電流 - 峰值:5mA
配置數(shù):1
輸出數(shù):1
高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):-
電壓 - 電源:7 V ~ 10 V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N
其它名稱(chēng):CS8312YDR8OS
ROHS: 含鉛
CS8312YDR8
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CS8312YDR8 | IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation | CHERRY[Cherry Semiconductor Corporation] | 139.3 Kbytes | 共6頁(yè) | BUP313D,BUP200D,BUP314D,BUP400D,BUP305D,BUP410D,BUP306D,BUP602D,CS8312,BUP603D | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||
| CS8312YDR8 | IGBT Ignition Predriver | ONSEMI[ON Semiconductor] | 59.01 Kbytes | 共8頁(yè) | CS8312,HGTP14N40F3VL,ISL9V2540S3S,ISL9V5045S3S,NGD18N40CLBT4,ISL9V2040D3S,MGP19N35CL,ISL9V3036D3S,ISL9V3040D3S,NGD8201N | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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