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CS8312YDR8
規(guī)格信息:

PCN Obsolescence:Multiple Devices 30/Dec/2003

標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500

類(lèi)別:集成電路 (IC)

家庭:PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

系列:-

包裝:帶卷 (TR)

配置:低端

輸入類(lèi)型:非反相

延遲時(shí)間:30μs

電流 - 峰值:5mA

配置數(shù):1

輸出數(shù):1

高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):-

電壓 - 電源:7 V ~ 10 V

工作溫度:-40°C ~ 125°C

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N

其它名稱(chēng):CS8312YDR8OS

ROHS: 含鉛

介紹圖CS8312YDR8
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
CS8312YDR8IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation CHERRY[Cherry Semiconductor Corporation]CHERRY[Cherry Semiconductor Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)139.3 Kbytes共6頁(yè)CS8312YDR8的PDF文件地址BUP313D,BUP200D,BUP314D,BUP400D,BUP305D,BUP410D,BUP306D,BUP602D,CS8312,BUP603D CS8312YDR8的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
CS8312YDR8IGBT Ignition Predriver ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)59.01 Kbytes共8頁(yè)CS8312YDR8的PDF文件地址CS8312,HGTP14N40F3VL,ISL9V2540S3S,ISL9V5045S3S,NGD18N40CLBT4,ISL9V2040D3S,MGP19N35CL,ISL9V3036D3S,ISL9V3040D3S,NGD8201N CS8312YDR8的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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