制造商:Central Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:650 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:250 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Qg-柵極電荷:1.2 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:350 mW
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-563-6
商標(biāo):Central Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.2 S
最小工作溫度:- 65 C
系列:CMLDM8005