系列:CIB32
線路數(shù):1
不同頻率時(shí)的阻抗:60 歐姆 @ 100MHz
額定電流(最大):1.5A
直流電阻(DCR)(最大):20 毫歐
工作溫度:-55°C ~ 125°C
封裝/外殼:1210(3225 公制)
安裝類型:表面貼裝
高度(最大值):0.059"(1.50mm)
尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
包裝類型:1210 (3225M)
阻抗 @ 100 MHz:600hms
額定電流:1.5A
類型:晶片磁珠
尺寸:3.2 x 2.5 x 1.3mm
長(zhǎng)度:3.2mm
深度:2.5mm
高度:1.3mm
材料:鐵氧體
最大直流電阻值:20m0hms
應(yīng)用:電磁干擾抑制
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
CIB32P600NE
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| CIB32P600NE | Chip Bead CIB/CIM Series For EMI Suppression | SAMSUNG[Samsung semiconductor] | 1095.51 Kbytes | 共16頁 | 產(chǎn)品購買 |
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