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CES2308
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）20V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）5.4A

柵源極閾值電壓1.2V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻27mΩ @ 5.4A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W

類型N溝道

介紹圖CES2308
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
CES2308N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET[Chino-Excel Technology]CET[Chino-Excel Technology]的LOGO-天天IC網(wǎng)162.45 Kbytes共4頁CES2308的PDF文件地址 CES2308的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
CES2308High dense cell design for extremely low RDS(ON). TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)253.49 Kbytes共2頁CES2308的PDF文件地址 CES2308的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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