FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：200mA（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：225mW（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.5 歐姆 @ 200mA，5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封裝形式Package：SOT-23
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：50V
連續(xù)漏極電流ID：0.2A
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 200mA，5V
FET 類型：N 溝道
漏源極電壓（Vdss）：50V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs