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BSR202N
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-SC59-3

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20V

Id-連續(xù)漏極電流:3.8A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:21mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:12V

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:500mW(1/2W)

通道模式:Depletion

高度:1.1mm

長度:2.9mm

晶體管類型:1N-Channel

寬度:1.3mm

下降時間:16.7ns

上升時間:16.7ns

典型關(guān)閉延遲時間:19ns

典型接通延遲時間:8.8ns

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:1

RDS (on) max:21.0m?

IDpuls max:15.2A

VDS max:20.0V

ID max:3.8A

Package:SC59

QG:5.8nC

Budgetary Price ?€/1k:0.1

Ptot max:0.5mW

RthJA max:250.0K/W

Coss:278.0pF

Ciss:863.0pF

VGS(th) min max:0.7V 1.2V

RDS (on) (@2.5V) max:33.0m?

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖BSR202N
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BSR202NEnhancement mode ZPSEMI[ZP Semiconductor]ZPSEMI[ZP Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)243.46 Kbytes共3頁BSR202N的PDF文件地址 BSR202N的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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BSR202N L6327MOSFET N-Ch 20V 3.8A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)159.80 Kbytes共9頁BSR202N L6327的PDF文件地址 BSR202N L6327的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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BSR202NL6327HTSA1MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)159.65 Kbytes共9頁BSR202NL6327HTSA1的PDF文件地址 BSR202NL6327HTSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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