欢乐颂第二季,辰东全部小说,我欲封天txt下载

BSO203P
規(guī)格信息：

標準包裝：2,500

類別：分立半導體產(chǎn)品

家庭：FET - 陣列

系列：OptiMOS??

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8.2A

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 8.2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 100µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：48.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2242pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：P-DSO-8

其它名稱：BSO203PINTRBSO203PNTMA1

BSO203P

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
BSO203P	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	82.89 Kbytes	共8頁	BSO4804,BSD223P,BSO4822,BSL207SP,BSL211SP,BSL307SP,BSS209PW,BSO201SP,BSS223PW,BSO203SP	產(chǎn)品購買
BSO203P H	MOSFET P-Ch -20V -8.2A DSO-8 OptiMOS P	Infineon Technologies	316.22 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO203P H	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：7A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 100uA 漏源導通電阻：21mΩ @ 8.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 類型：雙P溝道	Infineon(英飛凌)	315.85 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO203PH	OptiMOS P-Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	321.44 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO203PHXUMA1	MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO	Infineon Technologies	315.85 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO203PHXUMA1	MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO	Infineon Technologies	315.85 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO203PNTMA1	MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC	Infineon Technologies	82.91 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買