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漏極電流（最大值）：0.173 A

頻率（最大）：Not Required MHz

柵源電壓（最大值）：?20 V

輸出功率（最大）：Not Required W

功率耗散：0.83 W

安裝：Surface Mount

噪聲系數(shù)：Not Required dB

漏源導(dǎo)通電阻：15 ohm

工作溫度范圍：-65C to 150C

包裝類型：TO-236AB

引腳數(shù)：3

極性：N

類型：Power MOSFET

元件數(shù)：1

工作溫度分類：Military

通道模式：Enhancement

漏極效率：Not Required %

漏源導(dǎo)通電壓：50 V

功率增益：Not Required dB

弧度硬化：No

連續(xù)漏極電流：0.173 A

晶體管極性：:N Channel

Continuous Drain Current Id：:173mA

Drain Source Voltage Vds：:50V

On Resistance Rds(on)：:15ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:1V

功耗：:830mW

Operating Temperature Min：:-65°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:SOT-23

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：:173mA

Current Temperature：:25°C

No. of Transistors：:1

工作溫度范圍：:-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：:830mW

Pulse Current Idm：:700mA

SMD Marking：:M8p

端接類型：:SMD

Voltage Vds Typ：:50V

Voltage Vgs Max：:20V

Voltage Vgs Rds on Measurement：:10V

Weight (kg)：0.000033

Tariff No.：85412900