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BRF4N65
規(guī)格信息:

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓(Vdss)650V

連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)4A(Tc)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻2.7Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)33W(Tc)

類型N溝道

介紹圖BRF4N65
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BRF4N65N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]的LOGO-天天IC網(wǎng)815.1 Kbytes共6頁BRF4N65的PDF文件地址 BRF4N65的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
BRF4N65N-Channel MOSFET uses advanced trench technology DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]的LOGO-天天IC網(wǎng)1439.61 Kbytes共5頁BRF4N65的PDF文件地址 BRF4N65的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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