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BRD2N60
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）600V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）2A(Tc)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）37W(Tc)

類型N溝道

介紹圖BRD2N60
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
BRD2N60N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]的LOGO-天天IC網(wǎng)687.3 Kbytes共6頁(yè)BRD2N60的PDF文件地址 BRD2N60的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
BRD2N60N-Channel MOSFET uses advanced trench technology DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]的LOGO-天天IC網(wǎng)1904.49 Kbytes共5頁(yè)BRD2N60的PDF文件地址 BRD2N60的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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