制造商:NXP
產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
商標(biāo):NXP Semiconductors
Id-連續(xù)漏極電流:10 A
Vds-漏源極擊穿電壓:75 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:300 mOhms
晶體管極性:N-Channel
技術(shù):Si
Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 15 V
增益:13 dB
輸出功率:35 W
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-467C
封裝:Reel
最小工作溫度:- 65 C
工作頻率:1.2 GHz to 1.4 GHz
Pd-功率耗散:110 W
工廠包裝數(shù)量:20
類型:RF Power MOSFET
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.5 V
零件號(hào)別名:BLL1214-35,112