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BFR840L3RHESD
規(guī)格信息：

封裝/外殼：TSLP-3-9

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

Budgetary Price ?€/1k：0.16

NF：0.5dB

OIP3：17.0 dBm

VCEO max：2.25V

IC max：35.0mA

OP1dB：4.0 dBm

Gmax：26.5dB

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖BFR840L3RHESD
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BFR840L3RHESDRobust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1496.87 Kbytes共28頁BFR840L3RHESD的PDF文件地址 BFR840L3RHESD的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
BFR840L3RHESDE6327XTSA1射頻(RF)雙極晶體管 RF BIP TRANSISTORSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)464.78 Kbytes共22頁BFR840L3RHESDE6327XTSA1的PDF文件地址 BFR840L3RHESDE6327XTSA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
BFR840L3RHESDE6327XTSA1RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)464.78 Kbytes共22頁BFR840L3RHESDE6327XTSA1的PDF文件地址 BFR840L3RHESDE6327XTSA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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