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BFR193W
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

配置:Single

晶體管極性:NPN

集電極—基極電壓 VCBO:20 V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:12 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V

最大直流電集電極電流:0.08 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:8000 MHz (Typ)

最大工作溫度:+ 150 C

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

直流集電極/Base Gain hfe Min:70 at 30 mA at 8 V

最小工作溫度:- 55 C

Pd-功率耗散:580 mW

BFR193W

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
BFR193W	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	56.88 Kbytes	共7頁	BFG193,BFP193,BFP193W,BFQ193,BFR193,BFR106,BFP183R,BFR93A,BFP183W,BFR181	產(chǎn)品購買
BFR193W	NPN Silicon RF Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	77.9 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
BFR193W	NPN Silicon RF Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	80.59 Kbytes	共7頁	CMPT3646,CMST6427E,CP235,CZTA44,CXT491E,CZT3090L,BD157,CD9581,CSC1047,CSD1833	產(chǎn)品購買
BFR193W	For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz	INFINEON[Infineon Technologies AG]	660.91 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
BFR193W_07	NPN Silicon RF Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	77.9 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
BFR193W_14	For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz	INFINEON[Infineon Technologies AG]	660.91 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
BFR193WH6327	集電極電流Ic：80mA 額定功率：580mW 晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓Vce：12V	Infineon(英飛凌)	655.25 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
BFR193WH6327XTSA1	射頻(RF)雙極晶體管 RF BIP TRANSISTOR	Infineon Technologies	649.82 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
BFR193WH6327XTSA1	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3	Infineon Technologies	655.25 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買