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BF5030W
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

Id-連續(xù)漏極電流:25 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:8 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :6 V

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-343-4

封裝:Reel

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:0.041 S

最小工作溫度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

類型:RF Small Signal MOSFET

BF5030W

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
BF5030W	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	168.46 Kbytes	共10頁	BF998,BF1005,BF1005,BF1005S,BF1009,BF1005S,BF1009S,BF1009S,BF998R,BF2030	產(chǎn)品購買
BF5030W	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	585.3 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BF5030WE6327HTSA1	MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343	Infineon Technologies	579.69 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BF5030WH6327XTSA1	FET RF 8V 800MHZ SOT343	Infineon Technologies	579.69 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BF5030WH6327XTSA1	BF5030	Infineon Technologies	579.69 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買