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BDV67B
規(guī)格信息:

晶體管極性::NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo::100V

功耗::200W

DC Collector Current::16A

DC Current Gain hFE::3000

Operating Temperature Max::150°C

Transistor Case Style::SOT-93

No. of Pins::3

SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)

Av Current Ic::16A

Collector Emitter Voltage Vces::2V

連續(xù)集電極電流Ic最大::16A

Current Ic Continuous a Max::16A

Current Ic hFE::10A

Full Power Rating Temperature::25°C

Hfe Min::1000

No. of Transistors::1

Power Dissipation Ptot Max::200W

端接類型::Through Hole

晶體管類型::Darlington

Voltage Vcbo::100V

Weight (kg):0.007

Tariff No.:85412900

介紹圖BDV67B
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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BDV67BPOWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W) MOSPEC[Mospec Semiconductor]MOSPEC[Mospec Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)102.73 Kbytes共3頁BDV67B的PDF文件地址STW16NA40,TIP140,MJ413,BD241BFP,MIMD10A,LET9006,MJ802,MJD2955,PD55015-PD55015S,SD2903 BDV67B的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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