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BDT62C
規(guī)格信息：

晶體管極性：:PNP

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：:120V

功耗：:90W

DC Collector Current：:10A

DC Current Gain hFE：:200

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:TO-220

No. of Pins：:3

MSL：:-

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

Av Current Ic：:10A

Collector Emitter Voltage Vces：:-2V

連續(xù)集電極電流Ic最大：:10A

Current Ic Continuous a Max：:10A

Current Ic hFE：:3A

Full Power Rating Temperature：:25°C

Hfe Min：:1000

No. of Transistors：:1

Power Dissipation Ptot Max：:90W

端接類型：:Through Hole

晶體管類型：:Darlington

Voltage Vcbo：:120V

Weight (kg)：0.002

Tariff No.：85412900

介紹圖BDT62C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BDT62CSilicon PNP Darlington Power Transistors NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)87.09 Kbytes共2頁BDT62C的PDF文件地址 BDT62C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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