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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:是

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-225-3

晶體管極性:NPN

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:32 V

集電極—基極電壓 VCBO:32 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—射極飽和電壓:500 mV

最大直流電集電極電流:4 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:3 MHz

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:BD435

高度:11.04 mm (Max)

長度:7.74 mm (Max)

封裝:Bulk

寬度:2.66 mm (Max)

商標:ON Semiconductor

直流集電極/Base Gain hfe Min:40

Pd-功率耗散:36000 mW

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:Transistors

單位重量:2 g