封裝/外殼：D2PAK7P
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：75V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：240A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.6 毫歐 @ 160A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：240nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9200pF @ 50V
功率耗散（最大值）：370W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：D2PAK（7-Lead）
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：240 A，260 A
最大漏源電壓：75 V
最大漏源電阻值：2.6 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最小柵閾值電壓：2V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目：7
晶體管配置：單
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：370 W
高度：4.83mm
每片芯片元件數(shù)目：1
尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
寬度：9.65mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：160 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：9200 pF @ 50 V
典型關斷延遲時間：100 ns
典型接通延遲時間：17 ns
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+175 °C
長度：10.67mm
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：260A
Rds On-漏源導通電阻：2.5mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：4V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：160nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+175C
配置：SingleQuintSource
Pd-功率耗散：370W
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
封裝：Tube
高度：4.4mm
長度：10mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：9.25mm
正向跨導 - 最小值：260S
下降時間：64ns
上升時間：80ns
典型關閉延遲時間：100ns
典型接通延遲時間：17ns
Vds-漏源極擊穿電壓：75V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs