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AT-41435G
規(guī)格信息:

數(shù)據(jù)列表:AT-41435

PCN 過時產(chǎn)品/ EOL:Multiple Devices 18/Mar/2013

標(biāo)準(zhǔn)包裝:100

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:RF 晶體管(BJT)

系列:-

包裝:散裝

晶體管類型:NPN

電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V

頻率 - 躍遷:8GHz

噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益:10dB ~ 18.5dB

功率 - 最大值:500mW

不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,8V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):60mA

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-SMD(35 micro-X)

供應(yīng)商器件封裝:35 micro-X

其它名稱:516-1856AT-41435G-ND

介紹圖AT-41435G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
AT-41435GUp to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor AVAGO[AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED]AVAGO[AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED]的LOGO-天天IC網(wǎng)153.0 Kbytes共5頁AT-41435G的PDF文件地址 AT-41435G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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