工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
封裝/外殼:78-TFBGA
格式 - 存儲器:DRAM
存儲器類型:易失
存儲容量:4Gb (512M x 8)
速度:800MHz
接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
AS4C512M8D3L-12BCN
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| AS4C512M8D3L-12BCN | Fully synchronous operation | ALSC[Alliance Semiconductor Corporation] | 3307.9 Kbytes | 共86頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AS4C512M8D3L-12BCNTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | Alliance Memory, Inc. | 3.22 Mbytes | 共86頁 | 產(chǎn)品購買 |
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