標(biāo)準(zhǔn)包裝10
類別半導(dǎo)體模塊
家庭FET
系列POWER MOS V®
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 7.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs485nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds7800pF @ 25V
功率 - 最大450W
安裝類型底座安裝
封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝ISOTOP?
包裝管件