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Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：30A

Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V (1kV)

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：267nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：7114pF @ 25V

Mounting Type：Chassis Mount

Package / Case：SOT-227-4, miniBLOC

Power - Max：595W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：260 mOhm @ 15A, 10V

Supplier Device Package：ISOTOP?

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 5mA

包裝：4SOT-227

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：1000 V

最大連續(xù)漏極電流：30 A

RDS -于：280@10V mOhm

最大門源電壓：±30 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：17 ns

典型上升時(shí)間：8 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns

典型下降時(shí)間：9 ns

工作溫度：-55 to 150 °C

安裝：Screw

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube