商品類型MOS(場效應管)
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)5.3A
柵源極閾值電壓1.25V @ 250uA
漏源導通電阻30mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W
類型N溝道
AP2306GN
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| AP2306GN | Advanced Power MOSFETs | TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd] | 132.26 Kbytes | 共2頁 | 產品購買 | ||||
| AP2306GN | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.] | 72.9 Kbytes | 共4頁 | IRF230,ARF440,RF1K49086,BFC11,SD1905,AP9973M,SSM4410M,AP01N60H,AP04N70BF-H,AP15T03H | 產品購買 | |||
| AP2306GN | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1035.59 Kbytes | 共9頁 | 產品購買 | ||||
| AP2306GN-HF | Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance | A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.] | 105.88 Kbytes | 共4頁 | 產品購買 | ||||
| AP2306GN-HF_14 | Surface mount package | A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.] | 105.88 Kbytes | 共4頁 | 產品購買 | ||||
| AP2306GN-HF_16 | Surface Mount Package | A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.] | 106.93 Kbytes | 共5頁 | 產品購買 |
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