包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列-
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）30A（Ta），46A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）4.6 毫歐 @ 20A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）45nC @
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）3300pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）6.2W（Ta），50W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝UltraSO-8?
封裝/外殼3-PowerSMD，引線