系列：AOI
FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：26A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：54nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：3600pF @ 30V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），60W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：40 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-251-3短截引線，IPak
封裝形式Package：TO-251A
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：26A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs