FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：17A（Ta），50A（Tc）
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 15V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs