FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):46nC @ 4.5V
功率 - 最大值:2.5W
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-XDFN
供應(yīng)商器件封裝:6-DFN (3.55x1.77)
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
AOC3862
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| AOC3862 | 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET | AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors] | 324.89 Kbytes | 共5頁 | 產(chǎn)品購買 |
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