FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13.2nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：646pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：100V
功率耗散（最大值）：198W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：399 毫歐 @ 5.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：TO-263（D2Pak）
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs