FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：620pF @ 10V
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 3.3A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
封裝/外殼：SC-74，SOT-457
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs