FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：60V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：56 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：10.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：540pF @ 30V
功率 - 最大值：2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs