FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：48 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：780pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs