FET 類型：N 和 P 溝道互補型
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5A，7A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.45V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：670pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SO
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs