系列：AO
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：13.5A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 30V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：9.8 毫歐 @ 13.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs