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AO3414
規(guī)格信息:

系列:AO

FET類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3A(Ta)

驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V

不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.2nC @ 4.5V

不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):436pF @ 10V

Vgs(最大值):±8V

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):50 毫歐 @ 4.2A,4.5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封裝形式Package:SOT-23

極性Polarity:N-CH

漏源極擊穿電壓VDSS:20V

連續(xù)漏極電流ID:3A

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖AO3414
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AO3414N-Channel Enhancement Mode KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)53.51 Kbytes共2頁AO3414的PDF文件地址CEM3082,CEM4308,CEP75A3,CEP6060R_06,CED1710,CED6030L,2N7002K,ZXMN2B03E6,ZXMN6A25DN8_06,AOD4120 AO3414的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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AO3414VDS (V) = 20V ID= 4.2A (VGS=4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 63m (VGS = 2.5V) TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)120.34 Kbytes共2頁AO3414的PDF文件地址 AO3414的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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AO3414A連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):4.2A 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:1.2V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻:35mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 類型:N溝道UMW(友臺半導(dǎo)體)UMW(友臺半導(dǎo)體)的LOGO-天天IC網(wǎng)1.73 Mbytes共3頁AO3414A的PDF文件地址 AO3414A的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
AO3414-HFN-Channel MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1265.0 Kbytes共4頁AO3414-HF的PDF文件地址 AO3414-HF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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AO3414L_105MOSFET N-CH 20V SOT23Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO-天天IC網(wǎng)113.77 Kbytes共4頁AO3414L_105的PDF文件地址 AO3414L_105的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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