制造廠商:TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
描述:Low rDS(on) trench technology, Low thermal impedance
AM2339P
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| AM2339P | Low rDS(on) trench technology, Low thermal impedance | TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd] | 508.45 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AM2339P | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | ANALOGPOWER[Analog Power] | 340.08 Kbytes | 共5頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AM2339P-T1 | 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):4.5A 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:1.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 類型:P溝道 | VBsemi(臺(tái)灣微碧) | 1.45 Mbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AM2339P-T1-PF | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1023.38 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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