商品類型MOS(場效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)5A
柵源極閾值電壓1V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻28mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
類型N溝道
AM2302N
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| AM2302N | Low rDS(on) trench technology | TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd] | 517.07 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AM2302N | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | ANALOGPOWER[Analog Power] | 329.01 Kbytes | 共5頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AM2302NE | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | ANALOGPOWER[Analog Power] | 114.5 Kbytes | 共3頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| AM2302N-T1-PF | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1899.62 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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