制造商:Advanced Linear Devices
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:10.6 V
Id-連續(xù)漏極電流:1 uA
Rds On-漏源導通電阻:1.7 MOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.68 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10.6 V
最小工作溫度:0 C
最大工作溫度:+ 70 C
Pd-功率耗散:500 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
晶體管類型:2 N-Channel
商標:Advanced Linear Devices
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:10 ns
典型接通延遲時間:10 ns
單位重量:85 mg