標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：EPAD®
包裝：管件
FET 類型：2 N 溝道（雙）配對(duì)
FET 功能：耗盡模式
漏源極電壓（Vdss）：10.6V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：12mA，3mA
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：500 歐姆 @ 3.6V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：360mV @ 1µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
其它名稱：1014-1064