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產(chǎn)品種類MOSFET
晶體管極性N-Channel
汲極/源極擊穿電壓12 V
閘/源擊穿電壓13.2 V
漏極連續(xù)電流4.8 mA
電阻汲極/源極 RDS(導通)350 Ohms
配置Quad
最大工作溫度+ 70 C
安裝風格Through Hole
封裝 / 箱體PDIP-8
正向跨導 gFS(最大值/最小值)0.0018 S
最小工作溫度0 C
功率耗散500 mW
工廠包裝數(shù)量50
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