制造商:Advanced Linear Devices
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:12 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:10.6 V
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :10.6 V
最大工作溫度:+ 70 C
Pd-功率耗散:500 mW
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-8
商標:Advanced Linear Devices
通道模式:Depletion
配置:Dual
最小工作溫度:0 C
系列:ALD110902S
工廠包裝數(shù)量:50
典型關(guān)閉延遲時間:10 ns
典型接通延遲時間:10 ns
ALD110902SA
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| ALD110902SA | QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY | ALD[Advanced Linear Devices] | 37.86 Kbytes | 共2頁 | PJD03N03,AP10N70R,ZXMN4A06K,ZXMN10A11K,NTE2996,SPC4539,SPN2342,SPN6562,G2314,GE03N70 | 產(chǎn)品購買 | |||
| ALD110902SAL | QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY | ALD[Advanced Linear Devices] | 108.24 Kbytes | 共11頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| ALD110902SAL | QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD | ALD[Advanced Linear Devices] | 111.51 Kbytes | 共12頁 | 產(chǎn)品購買 |
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