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4N65H
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）650V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）4A(Tc)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導通電阻2.5Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）70W(Tc)

類型N溝道

介紹圖4N65H
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4N65H4.0A650V N-CHANNEL MOSFET KIA[KIA Semiconductor Technology]KIA[KIA Semiconductor Technology]的LOGO-天天IC網244.85 Kbytes共6頁4N65H的PDF文件地址 4N65H的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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