FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）20A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4V
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）37nC @ 4V
Vgs（最大值）±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）3000pF @ 20V
功率耗散（最大值）2W（Ta），20W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）21 毫歐 @ 10A，4V
工作溫度150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-220FI（LS）
封裝/外殼TO-220-3 整包
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs