FET類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）2A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）37.5nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）380pF @ 30V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）2W（Ta），35W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）13 歐姆 @ 1A，10V
工作溫度150°C（TJ）
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-220-3 整包
封裝形式PackageTO-220F
極性PolarityN-CH
漏源極擊穿電壓VDSS1500V
連續(xù)漏極電流ID2A
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）37.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）380pF @ 30V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）13 歐姆 @ 1A，10V
FET 類型N 溝道
漏源極電壓（Vdss）1500V（1.5KV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）2A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs