FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）45A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）67nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）3500pF @ 20V
功率耗散（最大值）2W（Ta），30W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）14 毫歐 @ 23A，10V
工作溫度150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-220ML
封裝/外殼TO-220-3 整包
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs