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2SD2655WM-TL-E
規(guī)格信息：

集電極電流（DC ）：1 A

集電極 - 基極電壓：60 V

集電極 - 發(fā)射極電壓：50 V

發(fā)射極 - 基極電壓：6 V

頻率：280 MHz

功率耗散：0.8 W

安裝：Surface Mount

工作溫度范圍：-55C to 150C

包裝類型：MPAK

封裝：Tape and Reel

引腳數(shù)：3

元件數(shù)：1

工作溫度分類：Military

弧度硬化：No

晶體管極性：NPN

介紹圖2SD2655WM-TL-E
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
2SD2655WM-TL-ESilicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO-天天IC網(wǎng)69.4 Kbytes共6頁2SD2655WM-TL-E的PDF文件地址2SC2859_07,2SC3325_07,2SC4118_07,2SC3807C,2SC5594,NE856M02,2SC5624,2SC2879A,2SC3807MP,2SC3324_07 2SD2655WM-TL-E的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2SD2655WM-TL-ESilicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO-天天IC網(wǎng)107.75 Kbytes共7頁2SD2655WM-TL-E的PDF文件地址 2SD2655WM-TL-E的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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