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2SD2012
規(guī)格信息:

其它有關(guān)文件:2SD2012 View All Specifications

標(biāo)準(zhǔn)包裝:50

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:晶體管(BJT) - 單路

系列:-

包裝:管件

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V

不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A

電流 - 集電極截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V

功率 - 最大值:25W

頻率 - 躍遷:3MHz

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝:TO-220F

其它名稱:497-5900-5

介紹圖2SD2012
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2SD2012NPN SILICON POWER TRANSISTOR STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)127.21 Kbytes共5頁2SD2012的PDF文件地址2N6059_03,ZXTDCM832,2N6547,BUX81,2N3773,2SC5754,2SC5752,2N6388_00,2SD2402 2SD2012的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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